I) Dr. Alfonso Torres Jacome

II) Academic:

1.Engineering Degree , Chemical Engineer, Thesis: " Diseño y construcción de una torre de destilación tipo flash para mezclas binarias", INGENIERIA QUIMICA, UNIVERSIDAD AUTONOMA DE PUEBLA- ESCUELA DE INGENIERIA, QUIMICA, MEXICO, 1976.

2. Master of Science in Electrical Engineering, Thesis: " Fabrication process for transverse junction vertical cavity surface emitting lasers", UNIVERSITY OF NEW MEXICO-, ESTADOS UNIDOS, 1991.

3.Doctoral Degree Thesis: “Silicon based photodetectors”, INAOE, MEXICO, 1997.

III) Other Courses:

a) “Chemical vapor deposition for electronics”, impartido por la American Vacuum Soc, Albuquerque New Mexico, Mayo de 1998.

b) “International Noise School”, IMEC, Leuven, Belgium, Decembre 14-16, 1993.

IV) SNI Appointment: Investigador Nacional Nivel I (Expediente 12426).

V) Current Work Position: Researcher and Head of the Electronics Department INAOE.

Current field of interest: physics, design and fabrication of semiconductor devices, deposition and characterization of amorphous materials, optoelectronics.

VI) Formation of human resources:

Ultimas Tesis de Doctorado concluidas:

1. Carlos Zúñiga Islas, “Películas de carbón de baja permitividad para aplicaciones como a

2005. INAOE. Co-dirigida con Andrey Kosarev.

2. Arllene Mariana Pérez Gonzalez, “Doseño de arreglo plano focal de detectores infrarrojos”, 14 de septiembre de 2005, INAOE. Co-dirigida con Francisco Renero Carrillo.

3. Roberto Carlos Ambrosio "Investigación de procesos de fabricación para microbolómetros sin enfriar basados en películas depositadas por plasma”, 2005, INAOE. Co-dirigida con Andrey Kosarev.

4. Pedro Rosales Quintero, “Transistor bipolar de hetero-unión con emisor amorfo compatible con al tecnología CMOS”, Doctorado en ciencias con especialidad en Electrónica, 2004, INAOE. Co-dirigida R. Murphy.

5. Aurelio Heredia Jiménez, “Diseño y fabricación de un bolómetro para la detección de IR en el rango de los mm”, Doctorado en Ciencias con especialidad en Óptica, 26 de noviembre de 2004, INAOE, Co-dirección con F. J. De la Hidalga y A Jaramillo.

Cursos que ha impartido:

“Sensores de estado Solidó” para estudiantes de Doctorado y “Física de materiales para Micro-electrónica” para estudiantes de Maestría en el INAOE,

VII) Referred Journal papers:

1. Arreola, P.C.T. Roberts, A. Torres, “Análisis de las desviaciones experimentales de las características de la ley cuadrada de transistores MOS”,. Boletín del Instituto de Tonantzintla, vol. 2. No. 4, pág. 335 a 339, 1978.

2. Torres, W. Calleja, M. Aceves and C. Falcony, “Deposition and properties of silicon-rich dioxide films using CO2 or N2O as oxidant compound”, Springer Series in Surface Science Special Ed., 1986.

3. Aceves, A. Torres, M. Linares, A. Prieto, R. Glaenzer, J. Worl ey, “Blocs de base analogiques pour des systemes de communication”, 7e. Conference Europeenne sur L*Electrotechnique, pág. 659 a 664, 1986.

4. Torres, W. Calleja, M. Aceves, C. Falcony, Pel°culas de SiO2 fuera de estequiometría para dispositivos MOS de alta capacitancia, Memorias I Concgreso da Soc. Brasileira de Microel, pág. 471 a 480, 1986.

5. Schaus, C.F. Schaus, S. Sun, M.Y. Raja, A. Torres, J.G. McInerney,” Growth of high efficiency resonant periodic gain vertical cavity surface-emitting lasers”, Gallium Arsenide and Related Compounds, pág. 749 a 754, 1990.

6. Ping Zhou, J. Cheng, C.F. Schaus, S. Sun, C. Hains, K. Zheng and A. Torres, “High-performance latchable optical switch and logic gates based on the integration of surface-emitting lasers and photo- thyristors, Applied Physisc Letters, vol. 59, No. 20, pág. 2504 a 2506, 1991.

7. F. Schaus, A. Torres, J. Cheng, S. Sun, C. Hains, K.J. Malloy, H.E.Schaus, E.A. Armour and K. Zheng, “Transverse junction vertical-cavity surface-emitting laser”, Applied Physics Letters, vol. 58, No. 16,pág. 1736 a 1738, 1991.

8. Peykov, M. Aceves, A. Torres, and F.J. de la Hidalga, “Investigation of processinduced contaminations in silicon wafer processing”, Revista Mexicana de Física, vol. 39, No. 6, pág. 939 a 944, 1993.

9. Peykov, M. Aceves, F.J. de la Hidalga, T. Díaz, and A. Torres, “Influence of process sequence on the P ion implantation gettering efficiency”, Revista Mexicana de Física, vol. 40. No 5, pág. 790 a 797, 1994.

10. Mariano Aceves-Mijares, Roberto Murphy-Arteaga, Alfonso Torres-Jacome and Wilfrido Calleja-Arriaga, “Quality assurance in polisilicon deposition using statistics”, Quality Engineering, vol. 8, No. 2, pág. 255 a 262, 1995.

11. Calleja, C. falcony, A. Torres, M. Aceves, R. Osorio, “Optical properties of nonstoichiometric

SiO2 as a function of excess silicon content and thermal treatments”, Thin Solid Films, Vol. 270, pág. 114 a 117, 1995.

12. Torres, S. Kolodinsky, R. Donaton, K. Maex, P. Roussel, H. bender, “New process for the controlled formation of Ultra-thin PtSi for infrared detector applications”, Proceeedings SPIE, Vol. 2554, pág. 185 a 190, 1995.

13. Bender, P. Roussel, S. Kolodinsky, A. Torres, R. Donaton, K. Maex, P. Van der Sluis, “Characterization of Ultra-thin PtSi films for infrared detectors”, Material Research Soc. Symposium Proceedings, Nov. 27-30, 1995.

14. M. Aceves, C. Falcony, A. Reynoso-Hernández, W. Calleja and A. Torres, “The conduction properties of the silicon/off-stoichiometry-SiO2 diode”; Solid State Electronics, Vol. 39, pp. 637-644, 1996.

15. A. Gutiérrez D., M. J. Deen, and A. Torres, “Silicon radiation detectors for low temperature opto-electronics”, Proc. of the Fourth International Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity, The Electrochemical Soc., Montreal, Canada, pp. 722-732, 1997.

16. A Torres-J,, and E. A. Gutiérrez-D, “A planar Amorphous Si1-xGex Separated- Absorption-Multiplication Avalanche Photo Diode”, IEEE Electron Device Letters, Vol. 18, No. 11, pp. 568-570, 1997.

17. G. Santos Gómez and Alfonso Torres Jacome, “Silicon-Germanium-Boron Amorphous alloy on P-type Si as Infrared Schottky Detector”, Second IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS’98), Margarita, Venezuela, March 2-4, 1998.

18. Munguia, A. Torres Jacome, C. Zúñiga. “Mejoramiento de la sensibilidad de un SAMAPD fabricado en Si mediante películas antirreflectoras”, X Congreso Internacional de Electrónica Comunicaciones y Computadoras, del 28 de febrero al 31 de marzo de 2000, en Cholula Pue.

19. A. Torres Jacome, A. Munguía Castillo and C. Zúñiga Islas. Spin On Glass as an antireflection layer on amorphous absorption layer photodetectors. Third IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS'2000), 17 al 25 de marzo de 2000, en Cancun México

20. “ A 77k MOS Magnetic field detector (split-drain MAGFET)” R. Murphy, P. García, E. Gutiérrez, A. Torres. Revista Mexicana de Física, Diciembre 2001, Vol 47, No. 6., pp. 558-561.

21. Alicia Vera-Marquina, Alfonso Torres-Jácome, Francisco Renero- Carrillo;"Optical NOR gate based on silcion technology"; Optical Engineering, October 2001, Vol 40, No. 10, pp. 2261-2264.

22. “Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio” J. Huerta, R. Murphy, A. Díaz, A. Torres, W. Calleja, M. Landa, Superficies y Vacío, Vol. 13, pp. 44 - 49, enero 2002 .

23. M. Rojas-López, V. L. Gayou, R. E Pérez-Blanco, A. Torres –Jacome, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, “ Raman studies of aluminum induced microcystallization of n+ Si:H films produced by PECVD”, Thin Solid Films, 4435 (2003) pp. 32-37.

24. A. Kosarev, A. J. Torres, C. Zúñiga, A. S. Abramos, P. Rosales, A Sibaja, “Effect of Hydrogen Dilution on Electronic Properties of a-SiHx Films Deposited by Low Frequency Plasma”, J. Mat. Res., Vol. 18, No. 8, (2003) pp. 1918-1925.

25. R. Ambrosio, A. Torres, A. Kosarev, C. Zúñiga, A. S. Abramov, “Silicon- Germanuim films prepared from SiH4 and GF4 by low frequency plasma deposition”, J. Non Crystalline Solids, Vol. 329, (2003) pp. 134-139.

26. C.Zuniga, A.Torres, A.Kosarev. “Strong field charge transport in MIS structures based on low-K carbon films”, J.Non-Cryst. Solids, v.338-340, pp. 326-330 (2004);

27. Torres, A. Kosarev, M. L. Gracía Cruz, R. Ambrosio, “Uncooled microbolometer based on amorphous    germanium film”, J. Non Crystalline Solids, Vol. 329, (2003) pp. 179-183.

28. C. Zúñiga, A. Torres, A. Kosarev, “Carbon films deposited by low frequency plasma as Inter.-metal dielectric”, J. Non Crystalline Solids, Vol. 329, (2003) pp. 175-179.

29. R. Murphy-Arteaga, J. Huerta-Chua, A. Díaz-Sánchez, A. Torres-Jacome, W. Calleja-Asrriaga, M. Landa-Vázquez, “Fabrication, characterization and modelling of integrated on-silicon inductors”, Microelectronics reliability, Vol. 43, (2003), pp. 195-201.

30.  P Rosales-Quintero, A Torres-Jacome, R Murphy-Arteaga and M Landa- Vázquez, “Electrical characterization of n-type a-SiGe:H/p-type crystallinesilicon heterojunctions”, Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) 366–372.

31. A. Malik, V. Grimalsky, A. Torres Jacome, D. Durini., “Theoretical modeling and experimental investigation of MIS radiation sensor with giant internal signal amplification”, Sensors and Actuators A, Vol. 114, pp. 319-326, 2004.

32. R. Torres-Torres, R. Murphy-Arteaga, and A. Torres Jacome, “An improved substrate-loss model to determine MOSFET drain, source and substrate elements”, Microwave and Optical Technology Letters, Vol. 43, No. 2, pp. 126-130, 2004.

33. R.Ambrosio, A.Torres, A.Kosarev, M.Landa, A.Heredia. “Effect of the hydrogen content in the optical properties and etching of silicon nitride films deposited by PE CVD for uncooled microbolometers”, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., v.862, A9.6.1-6 (2005).

34. O. Malik, V. Grimalsky, A. Torres-J, and J. De La Hidalga-W, “Applications of nanocrystalline metal oxide films in monocrystalline silicon light emitting diodes”, phys. Stat. Sol., Vol. 2, No. 10, pp. 3645-3648, 2005.

35. Arllene M. Peres, Carlos Zuñiga, Francisco J. Renero, Alfonso Torres, “Optical properties of amorphous silicon germanium obtained by low-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition from SiH4+GeF4 and form SiH4+GeH4”, Optical Engineering, Vol 44, No. 4, pp 043801-1-343801-5, 2005.

36. L.Sanchez, A.Kosarev, A.Torres, T.Felter, A.Ilinskij. “AFM Morphology Study of Si1-yGey:H Films Deposited by LF PE CVD from Silane-Germane with different Dilution”, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., v.862, A18.5.1-6 (2005).

37. A.Kosarev, A.Torres, Y.Hernandez, R.Ambrosio, C.Zuniga, T.E Felter, R.Asomoza, Y.Kudriavtsev, R.Silva-Gonazalez, E.Gomez-Barojas, A.Ilinskij, A.S.Abramov. “Silicon-Germanium Films Deposited by Low Frequency PE CVD: Effect of H2 and Ar dilution” , Journal of Material Research (USA), accepted for January-2006.